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| 描述: | |
| 公开/私有: | 公开 私有 |
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| 公开/私有: | 公开 私有 |
- 呈贡一层基藏三区TJ-Z (4)
- (城市学院)105工业技术外借处 (3)
- 呈贡五层中文图书藏阅区 (3)
- (莲华)四楼书库 (1)
- 呈贡一层基藏二区K-TH (1)
馆藏地点
- 功率半导体器件 (3)
- 大功率 (1)
- 心脏血管疾病 (1)
- 整流器 (1)
- 本书第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断晶闸管结构。第5章致力于分析硅基igbt结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅mosfet和碳化硅igbt.碳化硅mosfet和igbt的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管（mct）结构和基极电阻控制晶闸管（brt）结构，后者利用mos栅控制晶闸管的导通和关断。第10章介绍了发射极开关晶闸管（est），该种结构也利用一种mos栅结构来控制晶闸管的导通与关断，并可利用igbt加工工艺来制造。这种器件具有良好的安全工作区。最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。 (1)
- 研究 (1)
- 绝缘栅场效应晶体管 (1)
- 诊疗 (1)
主题
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